FS32K146HFT0MLQT 恩智浦


• 工作特性
– 电压范围：2.7 V 至 5.5 V
– 环境温度范围：HSRUN 模式为 -40 °C 至 105 °C，运行模式为 -40 °C 至 150 °C
• Arm™ Cortex-M4F/M0+ 内核，32 位 CPU
– 支持高达 112 MHz 的频率（HSRUN 模式），每 MHz 1.25 Dhrystone MIPS
– 基于 Armv7 架构和 Thumb-2® ISA 的 Arm Core
– 集成数字信号处理器 （DSP）
– 可配置的嵌套向量中断控制器 （NVIC）
– 单精度浮点单元 （FPU）
• 时钟接口
– 4 - 40 MHz 快速外部振荡器 （SOSC），在外部时钟模式下具有高达 50 MHz 的直流外部方形输入时钟
– 48 MHz 快速内部 RC 振荡器 （FIRC）
– 8 MHz 慢速内部 RC 振荡器 （SIRC）
– 128 kHz 低功耗振荡器 （LPO）
– 高达 112 MHz （HSRUN） 系统锁相环 （SPLL）
– 高达 20 MHz 的 TCLK 和 25 MHz SWD_CLK
– 32 kHz 实时计数器外部时钟 （RTC_CLKIN）
• 电源管理
– 低功耗 Arm Cortex-M4F/M0+ 内核，具有出色的能效
– 具有多种电源模式的电源管理控制器 （PMC）：HSRUN、RUN、STOP、VLPR 和 VLPS。
注意：CSEc（安全）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式（112 MHz）下触发错误标志，因为不允许同时执行此用例。设备需要切换到运行模式 （80 MHz） 才能执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。
– 特定外设支持时钟门控和低功耗操作。
• 内存和内存接口
– 高达 2 MB 的程序闪存，带 ECC
– 64 KB FlexNVM，用于具有ECC和EEPROM仿真的数据闪存。
注意：CSEc（安全）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式（112 MHz）下触发错误标志，因为不允许此用例同时执行。设备需要切换到运行模式 （80 MHz） 才能执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。
– 高达 256 KB 的 SRAM，带 ECC
– 高达 4 KB 的 FlexRAM，可用作 SRAM 或 EEPROM 仿真
– 高达 4 KB 的代码缓存，可最大限度地减少内存访问延迟对性能的影响
– 支持超级总线™的QuadSPI
• 混合信号模拟
– 最多两个 12 位模数转换器 （ADC），每个模块最多 32 个通道模拟输入
– 一个模拟比较器 （CMP），带内部 8 位数模转换器 （DAC）
• 调试功能
– 串行线JTAG调试端口（SWJ-DP）组合
– 调试观察点和跟踪 （DWT）
– 仪表跟踪宏单元 （ITM）
– 测试端口接口单元 （TPIU）
– 闪存补丁和断点 （FPB） 单元
• 人机界面
– 多达 156 个具有中断功能的 GPIO 引脚
– 不可屏蔽中断 （NMI）